Полигон-2

В продолжение темы - оцените правильность моей конструкции исходя из распиновки даташитов флеш-микросхемы Intel и микросхемы УФ ПЗУ TMS 27C512 и ответьте на следующие вопросы (потому как в "англицком" языке - не силен)
1) спаял 32 пин (ногу) у P28F029 (Vcc = 5V) c 28 пином (ногой) (Vcc=5V) у 27С512, так как напряжение "работы" микросхем одинаковое = 5 Вольтам
2) Спаял 1 ногу у P28F020 (Vpp=12V) с 22 ногой у TMS 27C512 (Vpp=13V) ибо это Vpp есть напряжение программирования.
3) специально отогнул 2-ю ногу, 22 ногу , 30 ногу и 31 ногу у Intel P28F020 так как 16 и 17 адреса "ячеек памяти" у TMS 27C512 -нет (это 2 и 30 ноги у Intel P28F020) а 22 и 29 ноги у Intel P28F020 - отвечают за режим "включения" записи или чтения данных с микросхемы Intel P28F020. (Планирую замкнуть их на землю - потому как в описании - чтобы включить эти режимы чтения и записи - они должны быть установлены в "low" - низкий логический уровень. и 2 ногу - 16 и 17 линии адреса ячеек памяти у Intel P28F020 (это 2 и 30 ноги) - замкнуть на землю.
4) по даташитам обоих микросхем - линии адресов "ячеек памяти" у обоих микросхем - одинаковые, линии ввода (записи - программирования) и вывода (чтения - загрузки BIOS-а) - одинаковые. менять здесь ничего не надо.
5)допускаю что Vpp_Intel и Vpp_TMS - практически одинаковые (разница в 1 Вольт - нестрашна) поэтому соединяю их напрямую, но если вы посоветуете подключить через нагрузку - готов впаять между ними резистор на 33 Ом (исходя из максимально допустимого значения Vpp=30mA по даташиту Интел микросхемы) или резистором в 100 Ом ( исходя из номинального значения Vpp=10mA по даташиту Интел -микросхемы) прошивать собираюсь на материнской плате на которой стоит аналогичная микросхема 27C512.
Если что не так рассуждал - поправьте - пока не начал "прошивать"