Полигон-2

На 286 процессоре на писано 12МГц - это внешняя или внутренняя частота? И на какой частоте он работает с памятью? А далее Вы все же делите 1/12млн и еще на 2.

Ясно более-менее.
Если проц 286, то скорость работы с памятью в 2 раза ниже его внутренней частоты, нанесенной на процессор. И память должна быть не хуже, чем T=1/2/Fпроц.
Если проц 8088/8086, то T=1/Fпроц.
Значит, я правильно знал (кроме того, что 286 работает с памятью на половинной частоте). И рассуждение о регенерации, RAS, CAS и т.д. меня сбили с толку. 80-100ns - это память для 10МГц 8088-1, 100-120ns - это для 8088-2 (8МГц) и т.д.

sanders написал:

[q]

И память должна быть не хуже, чем T=1/2/Fпроц.
Если проц 8088/8086, то T=1/Fпроц.

[/q]

Вы напутали.
(F_286 - внутренняя частота 286 CPU)
Период работы памяти(минимальный, при идеальном КП) = 2/F_286.

Я уже писал о том, что время доступа и минимальный период работы памяти - не одно и то же.
В datasheet указывается tRC и tWC - минимальный период работы памяти для чтения и записи
соответственно.

Например для KM44C1000D -7

Speed -7
tRAC 70ns
tCAC 20ns
t RC 130ns
tPC 45ns


для MT4C4256 -12: t RAC = 120ns; tRC 210ns
цикл чтения-записи(read-modify-write) - 275ns

Видно, что tRC почти в два раза хуже t RAC.

Для XT суде по временной диаграмме из книги М. Гука - период работы памяти(минимальный,
при идеальном контроллере памяти) = 4/F_088.

И еще помните, что у памяти много временных параметров, и даже если казалось бы, память
установлена с уже минмальным временем tRC и дальнейшее его снижение ничего не даст,
тем не менее сокращение других временных параметров может теоретически немного повысить
пропускную способность, но не более предельной, те возможность переключить на 0WS
к примеру(у 286 выбор временных параметров небольшой - 0WS/1WS). Все зависит от
построения контроллера памяти.



Fe-Restorator написал:

[q]

Странновато всё-таки. Одна и та-ж мамка со впаяным 286-12 заметно ускоряется при замене DIP RAM со 100 на 70 ns...
Хотя по вашим выкладкам - не должна чувствовать ничего шустрее 120 ns...

[/q]

Учитывая что tRC изменилось от ~210 до ~130 результат нормальный.
Вы увеличили скорость изменением 1WS - 0WS? 286 не имеет средств автоматического
определения скорости памяти, и установка недостаточно быстрой памяти просто приведет
к нестабильности/незапуску.


PS.В дополнение к сказанному выше, для материнок с SIMM и DIP сравнивать скорости DIP
и SIMM/SIPP в общем случае не-корректно(если только Вы точно не знаете, что все
одноименные выводы DIP и SIMM соединены между собой). DIP может работать с более
медленной временной диаграммой.

Да это интересно! Память не имеет сигнала готовности, но может быть есть косвенный
способ определения быстродействия, например по электрической емкости входов
(степень заваливания фронтов, те время перехода из 0 в 1 и наоборот).
Кстати какая точно за материнка на HT12 у Вас?

Кстати микросхемы были одной организации и емкости и отличались только
быстродействием? Если разной, то может быть BIOS для более емких микросхем ставит
меньшие задержки, в надежде на то что более современные микросхемы будут и более
быстродействующими.