Полигон-2

sanders написал:

[q]

Для 25МГц нужна вообще память 40нс. Как там могла работать память 70нс - непонятно. Но ведь разгон - да?

[/q]

Да, это разгон. Потому что одна группа 60ns от какой-то фирмы - не заработал. Заработал только Siemens 60ns.

Разгон составил в 1,5 раз. Siemens - молодцы


sanders написал:

[q]

просьба дополнить свое сообщение тестовой прогой.

[/q]

в другой теме, есть три основных бенчмарка: http://www.phantom.sannata.ru/...y=48455028

В ближайшее время, думаю дополнить Wolf3D с его встроенным бенчмарком. Но печально то что нет поддержки XT. Точнее есть перекомпилированный EXEшник для XT (проц 8088 или NEC V20), но тогда нет встроенного бенчмарка

А так уже набран большой архив бенчмарков

i8088 написал:

[q]

При частоте процессора 16MHz(внешней, CPU 8MHz)шинные циклы пойдут с периодом 250ns

[/q]

То есть с памятью 286й процессор работает с частотой F/4?
И время доступа не напрямую связано с рабочей частотой памяти и вычислять рабочую частоту памяти по формуле 1/T.дост. - нельзя?

На 286 процессоре на писано 12МГц - это внешняя или внутренняя частота? И на какой частоте он работает с памятью? А далее Вы все же делите 1/12млн и еще на 2.

Ясно более-менее.
Если проц 286, то скорость работы с памятью в 2 раза ниже его внутренней частоты, нанесенной на процессор. И память должна быть не хуже, чем T=1/2/Fпроц.
Если проц 8088/8086, то T=1/Fпроц.
Значит, я правильно знал (кроме того, что 286 работает с памятью на половинной частоте). И рассуждение о регенерации, RAS, CAS и т.д. меня сбили с толку. 80-100ns - это память для 10МГц 8088-1, 100-120ns - это для 8088-2 (8МГц) и т.д.

sanders написал:

[q]

И память должна быть не хуже, чем T=1/2/Fпроц.
Если проц 8088/8086, то T=1/Fпроц.

[/q]

Вы напутали.
(F_286 - внутренняя частота 286 CPU)
Период работы памяти(минимальный, при идеальном КП) = 2/F_286.

Я уже писал о том, что время доступа и минимальный период работы памяти - не одно и то же.
В datasheet указывается tRC и tWC - минимальный период работы памяти для чтения и записи
соответственно.

Например для KM44C1000D -7

Speed -7
tRAC 70ns
tCAC 20ns
t RC 130ns
tPC 45ns


для MT4C4256 -12: t RAC = 120ns; tRC 210ns
цикл чтения-записи(read-modify-write) - 275ns

Видно, что tRC почти в два раза хуже t RAC.

Для XT суде по временной диаграмме из книги М. Гука - период работы памяти(минимальный,
при идеальном контроллере памяти) = 4/F_088.

И еще помните, что у памяти много временных параметров, и даже если казалось бы, память
установлена с уже минмальным временем tRC и дальнейшее его снижение ничего не даст,
тем не менее сокращение других временных параметров может теоретически немного повысить
пропускную способность, но не более предельной, те возможность переключить на 0WS
к примеру(у 286 выбор временных параметров небольшой - 0WS/1WS). Все зависит от
построения контроллера памяти.



Fe-Restorator написал:

[q]

Странновато всё-таки. Одна и та-ж мамка со впаяным 286-12 заметно ускоряется при замене DIP RAM со 100 на 70 ns...
Хотя по вашим выкладкам - не должна чувствовать ничего шустрее 120 ns...

[/q]

Учитывая что tRC изменилось от ~210 до ~130 результат нормальный.
Вы увеличили скорость изменением 1WS - 0WS? 286 не имеет средств автоматического
определения скорости памяти, и установка недостаточно быстрой памяти просто приведет
к нестабильности/незапуску.


PS.В дополнение к сказанному выше, для материнок с SIMM и DIP сравнивать скорости DIP
и SIMM/SIPP в общем случае не-корректно(если только Вы точно не знаете, что все
одноименные выводы DIP и SIMM соединены между собой). DIP может работать с более
медленной временной диаграммой.