Полигон-2

Случайно увидел в прайсе ИС FM16W08 - типа 6264, только без батарейки
https://www.terraelectronica.ru/product/612846 ( по 82 руб в Москве на складе )
Даташит :
http://www.cypress.com/file/41731/download

Разрешите поинтересоваться - огромный ресурс перезаписи данных - 10Е14 - он с учетом коррекции на ошибки данных, или циклов до выпадения одного единственного бита ?

Я ещё лет 10 назад писал, то ли на bk0010.org, то ли в фидошную конференцию по dec, о пользе прерывания по 024 вектору, которое позволяло бы копировать быстрое ОЗУ во fram при сбоях питания, имея автомат копирования на принципе пробега по адресам с подключением обоих памятей одновременно - одна читается, другая пишется в том же цикле. Таким образом ресурс fram расходуется только при включениях-выключениях машины. Конечно же, использование fram в качестве основной памяти не оправдано на относительно высокопроизводительных системах. Но в более современных кристалах ресурс существенно увеличен.
MM, посмотрите ещё в сторону MRAM. Про них я тоже писал давно на bk0010.org.

Совершенно случайно сегодня к соседям пришли Р.У. по применению FRAM.
По мнению аналитиков из А., первый выпавший бит в 32-кбайт ИС может появится спустя не менее 10 лет непрерывной циклической перезаписи всего массива ОЗУ, при времени цикла 100 нс.
А при работе только 1 ячейкой , но из расчета на весь чип ( ведь ИС даже с 1 выпавшим битом считаются неисправными ) - не менее, чем через 5 лет непрерывной работы , с вероятность 1%.

По слухам, поставили массивы FRAM в лабораторию для испытаний на "факторы", причем половина ИС на стендах - обычные СОЗУ ( оценка выпадений при хранении ).