Полигон-2

reftop123, я правильно понимаю, что фото приведено Вами в качестве примера EDO памяти на 5 вольт в формате DIMM168 ?

На микросхемах маркировка от IBM, но чипы видимо производила другая фирма.
Подробней идентифицировать их не смог

По маркировке на наклейке 64U32E444-60 нашлось вот это:
64MB 168p 60ns 32c 4x4 4K EDO DIMM
64MB 60ns 32c 4x4 4K 168-pin EDO DIMM (p/n AAA)
Судя по телефонам в шапке поставщик один,
но по первой ссылке модуль числится как Voltage: 5V, а по второй - Voltage - 3.3V.
Где правда? Расположение правого ключа на модуле соответствует 3.3В.

А еще, если увеличить фото по второй ссылке, то можно разглядеть, что дефекты в маркировке микросхем (ну или клей там размазался)
в левой части модуля полностью совпадают с приведенным Вами фото.
Только там без наклейки, а у Вас она есть... Фотошоп?

Похоже с ключами бардак, и некоторые модули на 5В можно и в 3.3В слот вставить...
Если так, то чего бы ему вместе с SIMM не работать долго и счАстливо ?

reftop123 написал:

[q]

5V это только FPM/EDO DIMM

[/q]

XPOHOMETP написал:

[q]

Похоже с ключами бардак...
Где правда?

[/q]

Я к тому, что EDO и на 3.3В быть может. Rio444 сканы приводил выше...

reftop123 написал:

[q]

На нём, кстати 2004 год написан, жесть, кто это делал?

[/q]

Samsung.
И это хорошо! Технику надо поддерживать не только в период гарантии, но и весь срок службы...

Rio444 написал:

[q]

SDRAM подразумевает, что 3,3В

[/q]

Были и планки с более низким напряжением, на более тонком техпроцессе. На BGA чипах, для всяких роутеров и т.п.

EDO довольно часто попадается 3,3В. И на Dimm и на Simm.

Я тут подумал, есть еще один способ обеспечить совместную работу DIMM и SIMM ,но очень кривой.

Если северный мост чипсета питается от 3.3V, и имеет внутренние диоды между линиями MDx и Vcc,
причем гарантированно не подвержен тиристорному эффекту (например, если паразитный диод структуры
зашунтирован диодом шоттки или иная технологическая защита), то в таком случае диоды будут
ограничивать выходные уровни SIMM на безопасном для SDRAM уровне. Диоды можно поставить и
внешние, но вряд-ли кто так делал.

Это конечно неправильное решение, тк увеличит нагревание SIMM, северного моста, эадержки на
время расасывания избыточного заряда диодов (если они не шоттки конечно), но для TTL и HMOS
выходных каскадов SIMM с натягом приемлимо (а вот для CMOS каскадов болезненно, тк у
них довольно большая нагрузочная способность в состоянии логической 1).