Внимание! Это временный неофициальный архив старой версии форума Полигон Призраков, созданный сочувствующим форуму участником. Этот сайт просуществует лишь до тех пор, пока администрация Полигона не сдержит своё обещание и не откроет официальный архив по адресу old.sannata.org.

Полигон-2

Форум о старых компьютерах

Объявление форума

Если пользуетесь личными сообщениями и получили по электронной почте оповещение о новом письме, не отвечайте, пожалуйста, почтой. Зайдите на форум и ответьте отправителю через ЛС.

Полигон-2 »   IBM PC-совместимое. До 2000 года включительно »   Особенности работы с памятью первопневых чипсетов
RSS

Особенности работы с памятью первопневых чипсетов

<<Назад  Вперед>> Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 8 9 10 11 * 12 13
Печать
 
i8088
Advanced Member


Откуда: г. Баку, Азербайджан
Всего сообщений: 2132
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
30 янв. 2015
Относительно возможного сгорания элементов.

Можно годами жить в квартире, где вместо предохранителей стоят жучки, и все будет
нормально, а можно и пожар в первый же день устроить.

Большинство конденсаторов с рабочим напряжением 16V будет нормально работать и при
20V, но это не значит, что так надо делать.
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
Коллеги, а вы не задумывались о том, что у Pentium (MMX) питание 3,3В?
А у EDO Simm 5В?
В любом случае требуются преобразователи уровней.
Скорее всего они уже в составе чипсета.

P.S.Кому скучно, почитайте на досуге 430VX datasheet.
Мне по существу проблема совместного использования SIMM и DIMM не интересна. Не проблема найти 4х16 Simm или планку 64Мб Dimm. Больше всё равно не кэшируется.
XPOHOMETP
Advanced Member


Всего сообщений: 752
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
13 мая 2015
Rio444, Да, так оно и есть:

i8088 написал:
[q]
Из datasheet на i430tx
MD[63:0] I/O 3.3V/5V
Memory Data. These signals are connected to the DRAM data bus. These signals
have internal pull-down resistors

3.3V/5V Indicates that the output is 3.3V and input is 3.3V receiver with 5V tolerance.

И еще уточнение из datasheet на i430HX - All 3V output signals can drive 5V TTL inputs.
[/q]
Проблема то в другом месте - пятивольтовая шина данных SIMM напрямую соединена с трехвольтовой шиной DIMM :(

UPD. Даташит полистаем, вот на это надо смотреть - 82438VX DATA PATH UNIT (TDX).
На вскидку все аналогично ситуации с VT82C587VP - от памяти отвязана шина проца, а не SIMM / DIMM друг от друга...
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
То есть, основная проблема в том, что при чтении SIMM уровни +5В по шине данных попадают на DIMM?
У которых нормальные уровни 3,3В.

Откопал пару планок DIMM 32Мб, которые теоретически могли стоять одновременно в SIMM.
На них стоят чипы MT48LC8M16A2 и GM72V16821CT10K.
И те и те планки допускают сигнальные уровни до 4,6В. А кратковременно (=>3ns и =>5ns) до +5,5В.
Кроме того у них есть сигнал управления CS - Chip Select, который переводит цепи ввода/вывода в состояние Hi-Z.
Может где-то здесь собака зарыта?

Кроме того, преобразователь уровней может быть простейшим:

Прикрепленный файл (Безымянный.png, 0 байт, скачан: 33 раза)
XPOHOMETP
Advanced Member


Всего сообщений: 752
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
13 мая 2015
Rio444 написал:
[q]
То есть, основная проблема в том, что при чтении SIMM уровни +5В по шине данных попадают на DIMM?
У которых нормальные уровни 3,3В.
[/q]
Да

Rio444 написал:
[q]
И те и те планки допускают сигнальные уровни до 4,6В.
[/q]
Первая ссылка не открывается. Вот это ближе к истине ! :)

Rio444 написал:
[q]
Кроме того у них есть сигнал управления CS - Chip Select, который переводит цепи ввода/вывода в состояние Hi-Z.
[/q]
Это не поможет.

Мы же не против, то Асус написал:
Mixing SIMMs and DIMMs require 5.0Volt (signal level) tolerant memory chips which are currently unavailable.

Сделать можно много чего. Потому и предлагал уже неоднократно прозвонить плату тестером...
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
XPOHOMETP написал:
[q]
Первая ссылка не открывается.
[/q]
Исправил, добавил схему в предыдущий пост.
XPOHOMETP
Advanced Member


Всего сообщений: 752
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
13 мая 2015
Rio444, если уж быть точным, то по Micron-y 4.6V это
Table 7: Absolute Maximum Ratings, а выше есть
This is a stress rating only, and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability

А длительно допутимо это
Table 8: DC Electrical Characteristics and Operating Conditions
и там Input high voltage: Logic 1; All inputs ... VDD + 0.3, а это 3.9V максимум получается

Ну а по LG возможно это опечатка...
Ну не должен Absolute Maximum Ratings равняться Recommended DC Operating Conditions :mad:
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
Длительно сигналов на Data и не может быть.
Кратковремнно допускается:
[q]
VIH overshoot: VIH,max = VDDQ + 2V for a pulse width ≤3ns, and the pulse width cannot
be greater than one-third of the cycle rate. VIL undershoot: VIL,min = –2V for a pulse
width ≤3ns.
[/q]
Т.е. даже 5,3В.

Правильно понимаю, что сейчас спор идёт: производители материнок, которые в мануалах указали совместное использование SIMM и DIMM, выдумали это (ошиблись, намеренно ввели в заблуждение и т.п.), или сделали это вполне обоснованно? Возможно, применив какие-то схемотехнические решения?
XPOHOMETP
Advanced Member


Всего сообщений: 752
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
13 мая 2015
Rio444, ну как не длительно? Да, сигнал там меняется, то лог.0, то лог.1, то третье состояние...
Но речь же не о 3 нс идет - это 333 МГц, память то помедленней работает...
А под кратковременно очень редкие (практически однократные) выбросы подразумевают обычно. Ну или допустимую частоту их повторения указывают.


Rio444 написал:
[q]
Правильно понимаю, что сейчас спор идёт, производители материнок, которые в мануалах указали совместное использование SIMM и DIMM, выдумали это (ошиблись, намеренно ввели в заблуждение и т.п.)
[/q]
Да

Rio444 написал:
[q]
или сделали это вполне обоснованно?
[/q]
Заводской "разгон" без информирования о том покупателя :biggrin:

Rio444 написал:
[q]
Возможно, применив какие-то схемотехнические решения?
[/q]
Возможно, вот их и хотелось бы обнаружить в реале...
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
XPOHOMETP написал:
[q]
Rio444, ну как не длительно? Да, сигнал там меняется, то лог.0, то лог.1, то третье состояние...Но речь же не о 3 нс идет - это 333 МГц, память то помедленней работает...
[/q]
Так ведь там и не 5,5В. Максимум 5В, а если это TTL от 4,6В.
<<Назад  Вперед>> Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 8 9 10 11 * 12 13
Печать
Полигон-2 »   IBM PC-совместимое. До 2000 года включительно »   Особенности работы с памятью первопневых чипсетов
RSS

1 посетитель просмотрел эту тему за последние 15 минут
В том числе: 1 гость, 0 скрытых пользователей

Последние RSS
[Москва] LIQUID-Акция. Сливаются разъемы CF
МС7004 и 7004А на AT и XT
Пайка термотрубок
Проммать s478 PEAK 715VL2-HT ( Full-Size SBC)
Подскажите по 386 материке по джамперам.

Самые активные 5 тем RSS