Полигон-2

Меры повышения быстродействия :
1.R1 выбрать наименьший из обеспечиващих надежное открывание Q3. При ( например ) верхнем уровне с выхода источника сигнала +1.90 вольт ориентироваться на ~470 ом ( пределы подбора 680...300 ом ). Задача - по-возможности сократить вредное перенапряжение на открытом переходе база-эмиттер ( с учетом разброса параметров в серии компонентов ).
2.Радикально сократить R8 - примерно до 1/3 от номинала R5, т.е. фактически подобрать его. Приблизительное значение при питании +12в. - ~200 ом. ( Ориентироваться на падение на R8 во включенном состоянии на +1 вольт , при отсоединенной базе Q1 ).
3.Дальнейшее повышение быстродействия возможно при сокращении R5, ориентируясь по максимально-допустимому току базы Q2 в момент начала зарядки выходной проволоки усилителя ( т.е. фактически при закоротке выхода на общий )
4.Применять более шустрые транзисторы, особенно Q3, Q4 ( можно с малыми максимально-возможными токами )
5.Рассмотреть возможность питания каскада на транзисторе Q3 малым напряжением, например +2 в, с пропорциональным сокращением R2.

А к нулю кто тянуть будет?

Вы же не написали, что ещё к нулю надо тянуть.
Тогда уже подробно пишите, что за нагрузка.
Вот с "нулём":

andyTh написал:

[q]

быстро действие транзисторов на кристалле.

[/q]

Для 133/155 серий для модели использовались 2Т318, в быту известные как КТ315а/б, с верхней граничной частотой 200-350 мгц, в зависимости от года проектирования шаблона ИС

andyTh написал:

[q]

[/q]

Так что не так?
Применение PNP транзисторов допустимо?