Полигон-2

andyTh написал:

[q]

быстро действие транзисторов на кристалле

[/q]

http://pdf.datasheetcatalog.co...005853.PDF

MM написал:

[q]

Для 133/155 серий для модели использовались 2Т318, в быту известные как КТ315а/б, с верхней граничной частотой 200-350 мгц, в зависимости от года проектирования шаблона ИС

[/q]

Отож, а что то пристойное начинает получаться с транзисторами от 500Мгц.


svinka написал:

[q]

http://pdf.datasheetcatalog.co...005853.PDF

[/q]

Не, Нейшионалу я верю. Хотя и у него параматры ниразу не клубничный торт. Я в 170АП3 не верю.
Точнее я не верю в разницу на порядок между АП3 и АП4


Rio444 написал:

[q]

Вы же не написали, что ещё к нулю надо тянуть.
Тогда уже подробно пишите, что за нагрузка.
Вот с "нулём":

[/q]

Эх.



Не решается оно так просто.

Rio444 написал:

[q]

Так что не так?

[/q]

зелёный это вход. А вот выход к сожалению синий график


Rio444 написал:

[q]

Применение PNP транзисторов допустимо?

[/q]

Допустимо конечно. Но получится нечто подобное схеме выше

MM написал:

[q]

Меры повышения быстродействия :
1.R1 выбрать наименьший из обеспечиващих надежное открывание Q3. При ( например ) верхнем уровне с выхода источника сигнала +1.90 вольт ориентироваться на ~470 ом ( пределы подбора 680...300 ом ). Задача - по-возможности сократить вредное перенапряжение на открытом переходе база-эмиттер ( с учетом разброса параметров в серии компонентов ).
2.Радикально сократить R8 - примерно до 1/3 от номинала R5, т.е. фактически подобрать его. Приблизительное значение при питании +12в. - ~200 ом. ( Ориентироваться на падение на R8 во включенном состоянии на +1 вольт , при отсоединенной базе Q1 ).
3.Дальнейшее повышение быстродействия возможно при сокращении R5, ориентируясь по максимально-допустимому току базы Q2 в момент начала зарядки выходной проволоки усилителя ( т.е. фактически при закоротке выхода на общий )


Игрался номиналами сегодня полдня. Включая и заведомо глупые варианты типа менее 10 ом. Смотрел так сказать тенденции.
Кой какая реакция есть конечно, но результат меня не впечатлил.



4.Применять более шустрые транзисторы, особенно Q3, Q4 ( можно с малыми максимально-возможными токами )


Это да. Переход о транзисторов с граничкой в 200Мгц на транзисторы с граничкой в 500 радикально улучшили картину.


5.Рассмотреть возможность питания каскада на транзисторе Q3 малым напряжением, например +2 в, с пропорциональным сокращением R2.

Наколько мне кажется, так низзя. Ибо оно усилитель напряжения. Тут надо получить размах, близкий к 12В.

[/q]

Радикально помогает уменьшение R6, но растёт ток транзисторов.
Наибольший эффект дает переход к работе в линейном режиме. Правда растут потребные мощности транзисторов.

andyTh написал:

[q]

Наибольший эффект дает переход к работе в линейном режиме. Правда растут потребные мощности транзисторов.

[/q]

Именно. Только так можно реализовать потенциальное быстродействие транзисторов и
одинаковые времена нарастания и спада, ЭСЛ собственно так и работает.

Предлагаю рассмотреть вариант питания повышенным напряжением с переводом
транзисторов в линейный режим. Предложенный мной вариант можно подумать как
упростить, тк раздельные регулировки уровней не требуются. Те сделать высоковольтный
ЭСЛ элемент, схемы их общеизвестны

[q]

Правда растут потребные мощности транзисторов.

[/q]

Да, но зато бонусом будет очень малая помехи по цепям питания при переключении.