Внимание! Это временный неофициальный архив старой версии форума Полигон Призраков, созданный сочувствующим форуму участником. Этот сайт просуществует лишь до тех пор, пока администрация Полигона не сдержит своё обещание и не откроет официальный архив по адресу old.sannata.org.

Полигон-2

Форум о старых компьютерах

Объявление форума

Если пользуетесь личными сообщениями и получили по электронной почте оповещение о новом письме, не отвечайте, пожалуйста, почтой. Зайдите на форум и ответьте отправителю через ЛС.

Полигон-2 »   Технический флейм »   Как из транзисторов и палок собрать логический элемент
RSS

Как из транзисторов и палок собрать логический элемент

<<Назад  Вперед>> Страницы: 1 2 3 4 5
Печать
 
andyTh
Гость

Ссылка

Подскажите плиз, какие схемотехнические приёмы можно применить дабы
улучшить временные характеристики вот такой вот схеммки.
Что то типа 2SC4082 я конечно попробую купить, но мож кто чего подскажет из эпохи борьбы за наносекунды.
Особенно мне не нравится передний фронт.



Задача примерно такова: пином плисинки -3,3В покачать небольшую нагрузочку амплитудой 12В
С минимально возможными длительностями фронтов и задержками.
Под минимально возможными понимаются чем меньше - тем лучше.
Сейчас на форуме
LEON
Member


Откуда: Московская обл.
Всего сообщений: 181
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
18 мар. 2008
Конденсатор несколько пик параллельно R4, стандартное решение
andyTh
Гость

Ссылка

Дело в том, что к первому каскаду претензий почти нет.
Да, задержка выключения - это его заслуга, но с передним фронтом там почти всё отлично.

синий график - коллектор Q3.

ПыСы ёмкость разумного номинала LT Spice не заметил. Неразумная ёмкость увалит мне циклон. :)
Сейчас на форуме
LEON
Member


Откуда: Московская обл.
Всего сообщений: 181
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
18 мар. 2008
Ну, а дальнейшая борьба с фронтами может обеспечиваться бОльшими токами по паразитным емкостям транзисторов. Тут или транзисторы ставить более шустрые, или токи через них гонять побольше.
На макетке не пробовали сравнить теорию симуляции и правду жизни? :)
andyTh
Гость

Ссылка

Да вот думал, просто транзистор нынче мелкий пошёл. Думал макетку хотя бы отЛУТить.
В базовом так сказать варианте. А перед этим схемотехнику прикинуть.

В принципе я не зря помянул 2SC4082. Они доступны мне с неким сроком поставки.
Но уж больно оно дохлое 50мА всего, но зато 1.5Ггц
Радикально ситуацию улучшает уменьшение R6, но резко растёт мощность на
транзисторах. Вот для дохлых высокочастотников 47 ом некий компромиссный оптимум.
Сейчас на форуме
i8088
Advanced Member


Откуда: г. Баку, Азербайджан
Всего сообщений: 2132
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
30 янв. 2015
Это фактически высоковольтный ТТЛ (почти ТТЛ), фронт у них всегда хуже.
Конденсатор несколько пик параллельно R4 уменьшит задержку, но не думаю что фронт сильно лучше станет
Именно такая схема принципиальна?

Я делал универсальный формирователь с ненасыщенными транзисторами для ЭСЛ, но КПД естетственно ниже
http://www.diagram.com.ua/list...r112.shtml

Может Вам сделать что-нибудь такое, подобно ЭСЛ схемотехнике, но для размаха 12В питание придется увеличить
andyTh
Гость

Ссылка

Схема не принципиальна, но по ссылке явный перебор.
Просто тогда уже выползает целесообразность ещё раз прошерстить какой нибудь Диджикей
на предмет спец драйвера.
Вот современные драйвера затворов для современных же полевичков довольно таки хороши.
Но всё таки для них плюс минус десяток-другой-третий нан не проблема, а мне пока хочется идеала :)
Сейчас на форуме
i8088
Advanced Member


Откуда: г. Баку, Азербайджан
Всего сообщений: 2132
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
30 янв. 2015
А если Вам опробовать скоростной ОУ, типа AD812 итп?
svinka
Advanced Member
Сеньор

Откуда: Совчина
Всего сообщений: 1585
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
25 июня 2016
Старинный драйвер типа DS0026 не подойдет? Наш аналог К170АП3

Вроде буржуи выпускали модернизированные версии пин-пин совместимые но с меньшим временем задержки (до единиц наносекунд)
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
Видимо я что-то не понимаю. Зачем такая сложная схема? Парой транзисторов нельзя обойтись?
andyTh
Гость

Ссылка

Вот как раз мне гр...й 170АП4 вместо меандра 150+150нан нарисовал 136+164. С красивой параболоэкспонентой вместо переднего фронта.
Во что я долго не верил :)

По поводу ОУ, далеко не все имеют приемлимый тут размах выходного сигнала относительно питания. Как раз 820 толи чётко на грани, толи не подходит совсем. В зависимости как читать даташит. :)
Ну или можно найти какую то экзотику, а как её покупать?

Пожалуй помакетирую я вокруг вот такого вот:


Тут единственная осязаемая проблема - наличие в местных лавках шустрых pnp транзисторов.

Это если мне отобранный у коллеги TC4420 не понравится :)
Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

Rio444 написал:
[q]
Видимо я что-то не понимаю. Зачем такая сложная схема? Парой транзисторов нельзя обойтись?
[/q]
Нарисуйте эскизик и бросьте картинку, а я вам её помоделирую и результат выложу ;)
Сейчас на форуме
svinka
Advanced Member
Сеньор

Откуда: Совчина
Всего сообщений: 1585
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
25 июня 2016
andyTh написал:
[q]
гр...й 170АП4
[/q]
АП3 это не АП4 наверное
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013

Меры повышения быстродействия :
1.R1 выбрать наименьший из обеспечиващих надежное открывание Q3. При ( например ) верхнем уровне с выхода источника сигнала +1.90 вольт ориентироваться на ~470 ом ( пределы подбора 680...300 ом ). Задача - по-возможности сократить вредное перенапряжение на открытом переходе база-эмиттер ( с учетом разброса параметров в серии компонентов ).
2.Радикально сократить R8 - примерно до 1/3 от номинала R5, т.е. фактически подобрать его. Приблизительное значение при питании +12в. - ~200 ом. ( Ориентироваться на падение на R8 во включенном состоянии на +1 вольт , при отсоединенной базе Q1 ).
3.Дальнейшее повышение быстродействия возможно при сокращении R5, ориентируясь по максимально-допустимому току базы Q2 в момент начала зарядки выходной проволоки усилителя ( т.е. фактически при закоротке выхода на общий )
4.Применять более шустрые транзисторы, особенно Q3, Q4 ( можно с малыми максимально-возможными токами )
5.Рассмотреть возможность питания каскада на транзисторе Q3 малым напряжением, например +2 в, с пропорциональным сокращением R2.
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
andyTh написал:
[q]
Нарисуйте эскизик и бросьте картинку, а я вам её помоделирую и результат выложу
[/q]
Вот так, например

Прикрепленный файл (Усилитель.GIF, 0 байт, скачан: 41 раз)
andyTh
Гость

Ссылка

А к нулю кто тянуть будет?
Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

svinka написал:
[q]
АП3 это не АП4 наверное
[/q]
Согласен. Но какие шансы на то, что внутри АП3 нечто несоизмеримо революционное по отношению
к АП4? Имею в виду быстро действие транзисторов на кристалле.
Сейчас на форуме
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
Вы же не написали, что ещё к нулю надо тянуть.
Тогда уже подробно пишите, что за нагрузка.
Вот с "нулём":

Прикрепленный файл (Усилитель2.GIF, 0 байт, скачан: 49 раз)
svinka
Advanced Member
Сеньор

Откуда: Совчина
Всего сообщений: 1585
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
25 июня 2016
andyTh написал:
[q]
быстро действие транзисторов на кристалле
[/q]
http://pdf.datasheetcatalog.co...005853.PDF
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013
andyTh написал:
[q]
быстро действие транзисторов на кристалле.
[/q]
Для 133/155 серий для модели использовались 2Т318, в быту известные как КТ315а/б, с верхней граничной частотой 200-350 мгц, в зависимости от года проектирования шаблона ИС
andyTh
Гость

Ссылка

MM написал:
[q]
Для 133/155 серий для модели использовались 2Т318, в быту известные как КТ315а/б, с верхней граничной частотой 200-350 мгц, в зависимости от года проектирования шаблона ИС
[/q]
Отож, а что то пристойное начинает получаться с транзисторами от 500Мгц.


svinka написал:
[q]
http://pdf.datasheetcatalog.co...005853.PDF
[/q]
Не, Нейшионалу я верю. Хотя и у него параматры ниразу не клубничный торт. Я в 170АП3 не верю.
Точнее я не верю в разницу на порядок между АП3 и АП4


Rio444 написал:
[q]
Вы же не написали, что ещё к нулю надо тянуть.
Тогда уже подробно пишите, что за нагрузка.
Вот с "нулём":
[/q]
Эх.



Не решается оно так просто.
Сейчас на форуме
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
andyTh написал:
[q]
[/q]
Так что не так?
Применение PNP транзисторов допустимо?
andyTh
Гость

Ссылка

Rio444 написал:
[q]
Так что не так?
[/q]
зелёный это вход. А вот выход к сожалению синий график :)


Rio444 написал:
[q]
Применение PNP транзисторов допустимо?
[/q]
Допустимо конечно. Но получится нечто подобное схеме выше :)
Сейчас на форуме
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
andyTh написал:
[q]
зелёный это вход. А вот выход к сожалению синий график
[/q]
Я же Вам другую схему предлагал.
andyTh
Гость

Ссылка

MM написал:
[q]
Меры повышения быстродействия :
1.R1 выбрать наименьший из обеспечиващих надежное открывание Q3. При ( например ) верхнем уровне с выхода источника сигнала +1.90 вольт ориентироваться на ~470 ом ( пределы подбора 680...300 ом ). Задача - по-возможности сократить вредное перенапряжение на открытом переходе база-эмиттер ( с учетом разброса параметров в серии компонентов ).
2.Радикально сократить R8 - примерно до 1/3 от номинала R5, т.е. фактически подобрать его. Приблизительное значение при питании +12в. - ~200 ом. ( Ориентироваться на падение на R8 во включенном состоянии на +1 вольт , при отсоединенной базе Q1 ).
3.Дальнейшее повышение быстродействия возможно при сокращении R5, ориентируясь по максимально-допустимому току базы Q2 в момент начала зарядки выходной проволоки усилителя ( т.е. фактически при закоротке выхода на общий )


Игрался номиналами сегодня полдня. Включая и заведомо глупые варианты типа менее 10 ом. Смотрел так сказать тенденции.
Кой какая реакция есть конечно, но результат меня не впечатлил.



4.Применять более шустрые транзисторы, особенно Q3, Q4 ( можно с малыми максимально-возможными токами )


Это да. Переход о транзисторов с граничкой в 200Мгц на транзисторы с граничкой в 500 радикально улучшили картину.


5.Рассмотреть возможность питания каскада на транзисторе Q3 малым напряжением, например +2 в, с пропорциональным сокращением R2.

Наколько мне кажется, так низзя. Ибо оно усилитель напряжения. Тут надо получить размах, близкий к 12В.
[/q]
Радикально помогает уменьшение R6, но растёт ток транзисторов.
Наибольший эффект дает переход к работе в линейном режиме. Правда растут потребные мощности транзисторов.
Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

Rio444 написал:
[q]
Я же Вам другую схему предлагал.
[/q]
Извиняюсь, не заметил что транзисторы разной структуры.



На данный момент это победитель в номинации.
Сейчас на форуме
i8088
Advanced Member


Откуда: г. Баку, Азербайджан
Всего сообщений: 2132
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
30 янв. 2015
andyTh написал:
[q]
Наибольший эффект дает переход к работе в линейном режиме. Правда растут потребные мощности транзисторов.
[/q]
Именно. Только так можно реализовать потенциальное быстродействие транзисторов и
одинаковые времена нарастания и спада, ЭСЛ собственно так и работает.

Предлагаю рассмотреть вариант питания повышенным напряжением с переводом
транзисторов в линейный режим. Предложенный мной вариант можно подумать как
упростить, тк раздельные регулировки уровней не требуются. Те сделать высоковольтный
ЭСЛ элемент, схемы их общеизвестны
[q]
Правда растут потребные мощности транзисторов.
[/q]
Да, но зато бонусом будет очень малая помехи по цепям питания при переключении.
Tronix
Advanced Member


Откуда: Москва
Всего сообщений: 1749
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
15 янв. 2008
А можно с одним транзистором:

https://habrastorage.org/webt/...k8ggac.png
andyTh
Гость

Ссылка

Упс, сорри. Забыл выбрать модель. С реальным транзистором оно выглядит так:

Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

Tronix написал:
[q]
А можно с одним транзистором:
[/q]
Схема с ОБ конечно супер. Но меня смущает, что через гаечный пин будет течь ток нагрузки. А если генератор подключить через полевичок
скажем, будет так же красиво?
Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

i8088 написал:
[q]
Предлагаю рассмотреть вариант питания повышенным напряжением с переводом
транзисторов в линейный режим. Предложенный мной вариант можно подумать как
упростить, тк раздельные регулировки уровней не требуются. Те сделать высоковольтный
ЭСЛ элемент, схемы их общеизвестны
[/q]
Меня практически устроило вот это
https://itmages.ru/image/view/6520998/cf45728a
Посмотрю что смогу купить из транзисторов и помакетирую.
Сейчас на форуме
Rio444
Гость


Откуда: Ростов-на-Дону
Всего сообщений: 8632
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
14 сен. 2014
andyTh написал:
[q]
Меня практически устроило вот это
https://itmages.ru/image/view/6520998/cf45728a
[/q]
Там размах будет не 12В, а где-то от 0,7 до 10,6В.

Вечером доберусь до LTSpice, поэкспериментирую.
А какие выходные данные ПЛИС?
Если она сама опускает напряжение до нуля при лог. 0, то R1 не нужен (который между базой и землей VT1).
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013
andyTh написал:
[q]
5.Рассмотреть возможность питания каскада на транзисторе Q3 малым напряжением, например +2 в, с пропорциональным сокращением R2.

Наколько мне кажется, так низзя. Ибо оно усилитель напряжения. Тут надо получить размах, близкий к 12В.
[/q]


Напряжение питания каскада на Q3 должно обеспечивать только открытие переходов база-эмиттер транзисторов Q4 и Q1, которые фактически соединены последовательно, т.е. 2 вольт - вполне достаточно :) .
Сопротивление R2 следует выбрать как обеспечиващее максимально-допустимые токи ( статические ) баз Q4 и Q1.
Для варианта максимальных токов баз 10 ма и питания каскада на Q3 12 вольтами следует выбрать R2 немного более 1 ком, а при питании каскада на Q3 2 вольтами - можно рассмотреть вариант и R2=100 ом. При питании 2 вольтами будут существенно улучшены динамические параметры Q3 .
andyTh
Гость

Ссылка

Rio444 написал:
[q]
Там размах будет не 12В, а где-то от 0,7 до 10,6В.
[/q]
Внизу ожидаю поменьше всё же. А вот с верхним порогом беда.
но мож как то судьбу обману в процессе.
Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

Может более быстрые транзисторы будут работать получше, а с такими вот получается так:

Сейчас на форуме
andyTh
Гость

Ссылка

Rio444 написал:
[q]
ам размах будет не 12В, а где-то от 0,7 до 10,6В.

Вечером доберусь до LTSpice, поэкспериментирую.
А какие выходные данные ПЛИС?
Если она сама опускает напряжение до нуля при лог. 0, то R1 не нужен (который между базой и землей VT1).
[/q]
На входе схемы ожидается не более 0,2В лог.0 и не менее 3,1 при лог.1
На выходе хочется поиметь не более 0,45 в неле и не менее 11,5 в единице :biggrin: :biggrin: при питании 12 :biggrin: :biggrin: :biggrin:
(я в курсе...)
Сейчас на форуме
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013

R8 можно подсократить в пару раз, и последовательно с R2 поставить углеродный потенциометр на ~100 ом, для исследования процесса насыщения транзисторов Q4 и Q1.
А так да - это предел этих транзисторов, для ключевого включения.
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013
А где резистор от базы R3 до общего, т.к. во вводных параметрах сказано, что выход ПЛИС будет 3 вольт, значит, надо обеспечить напряжение открытия Q3 в рамках 1.10....0.90 вольт.
Конденсатор С1 обычно выбирают как ~пятикратный по отношению к емкости перехода база-эмиттер Q3, с учетом дополнительных емкостей монтажа. Например, емкость перехода Q3 - 5 пф, емкость монтажа Q3 - 5 пф, приблизительный конденсатор С1 - 47 пф.
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013
del
andyTh
Гость

Ссылка

Я так подозреваю, что дальше надо просто макетировать

Сейчас на форуме
Tronix
Advanced Member


Откуда: Москва
Всего сообщений: 1749
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
15 янв. 2008
А пока макетируете, купите АП3 на пробу.
andyTh
Гость

Ссылка

Tronix написал:
[q]
[/q]
Это будет по любому международная почта, а при таких раскладах лучше купить 1.5 Ггц транзисторов на каком нибудь Али.
Сейчас на форуме
Tronix
Advanced Member


Откуда: Москва
Всего сообщений: 1749
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
15 янв. 2008
andyTh написал:
[q]
Схема с ОБ конечно супер. Но меня смущает, что через гаечный пин будет течь ток нагрузки.
[/q]
Конечно будет. А вы лоу-павер чтоли делаете? Обычно там, где есть 12 вольт, на ток как бы немного подзабивают. Еще сюда мосфета конечно точно не хватает. А так - не на сотни мегагерц, но UART шатает нормально. Несмотря на пилу в спайсе.
1Ж24Б
Advanced Member


Откуда: Kaluga
Всего сообщений: 349
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
7 нояб. 2014
От К170АП3 не стоит ожидать чудес - технология уровня К170АП4. Обещают время вкл./выкл. не более 25 нс и 38 нс соответственно.
Tronix
Advanced Member


Откуда: Москва
Всего сообщений: 1749
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
15 янв. 2008
1Ж24Б написал:
[q]
Обещают время вкл./выкл. не более 25 нс и 38 нс соответственно.
[/q]
Ну это на самом деле не мало. Что же за секретная нагрузка 12 вольтовая, которая требует многих мегагерц?
MM
Advanced Member


Откуда: Павловский Посад Мск.обл.
Всего сообщений: 3418
Рейтинг пользователя: 0


Ссылка


Дата регистрации на форуме:
2 авг. 2013
Вариант на 1 ггц КТ325В ( 15 в. 60 ма )
<<Назад  Вперед>> Страницы: 1 2 3 4 5
Печать
Полигон-2 »   Технический флейм »   Как из транзисторов и палок собрать логический элемент
RSS

0 посетителей просмотрели эту тему за последние 15 минут
В том числе: 0 гостей, 0 скрытых пользователей

Последние RSS
[Москва] LIQUID-Акция. Сливаются разъемы CF
МС7004 и 7004А на AT и XT
Пайка термотрубок
Проммать s478 PEAK 715VL2-HT ( Full-Size SBC)
Подскажите по 386 материке по джамперам.

Самые активные 5 тем RSS