Полигон-2

0leg написал:

[q]

Я где-то видел

[/q]

Я видел на iXBT переходник для AWE-32. Особенность в том, что у Авехи организация 8x2, а на мамках, в основном, - 8x4.


ua1osm написал:

[q]

но могут видеться не полностью

[/q]

Да это-то всё знакомо.
Хотелось, так сказать, понять суть глюка.

EJSanYo написал:

[q]

В смысле в чём именно нестыковка и как её исправить?

[/q]

Неужели настолько влом почитать хотя бы Вику ?

http://ru.wikipedia.org/wiki/DRAM

Upd: Русская страница про DRAM - это тихий ужос. Читайте английскую если можете.

Скорее наоборот - ис рам с тремя состояниями - это более поздние разработки. Поэтому выход и называется enhanced.

Переделать - полный абсурд - можно ли из паровоза сделать электровоз? Теоретически - да, но надо поставить привод паровой машины на генератор (он там и так есть, но маленький), или впендюрить большую паровую турбину, на оси колесных пар поставить тяговые эл. двигатели, все заработает. Тут примерно те же трудозатраты - все ис надо для начала сменить...

У меня есть вопрос по поводу DIMM 512МБ.

Есть в наличии один двухсторонний модуль:


И есть в наличии другой двухсторонний модуль:



Наклейка одинаковая, но второй модуль на трёх разных материнках определяется как 256МБ.
Проверялось на матерях с процессорами Tualatin и с чипсетами INTEL 815, VIA686B, VIA694T.
Чипы на модуле - MT 48LC16M8A2.
Вот что говорит об этом модуле Everest:

Свойства модуля памяти:  
   Имя модуля   Micron Tech. 16LSDT3264AG-133E1  
   Серийный номер   6323A131h (832643939)  
   Дата выпуска   Неделя 49 / 2001  
   Размер модуля   256 Мб (2 ranks, 4 banks)  
   Тип модуля   Unbuffered  
   Тип памяти   SDRAM  
   Скорость памяти   PC133 (133 МГц)  
   Ширина модуля   64 bit  
   Вольтаж модуля   LVTTL  
   Метод обнаружения ошибок   Нет  
   Частота регенерации   Норма (15.625 us), Self-Refresh  
  
  Тайминги памяти:  
   @ 133 МГц   3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 100 МГц   2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)  
  
  Функции модуля памяти:  
   Early RAS# Precharge   Не поддерживается  
   Auto-Precharge   Поддерживается  
   Precharge All   Поддерживается  
   Write1/Read Burst   Поддерживается  
   Buffered Address/Control Inputs   Не поддерживается  
   Registered Address/Control Inputs   Не поддерживается  
   On-Card PLL (Clock)   Не поддерживается  
   Buffered DQMB Inputs   Не поддерживается  
   Registered DQMB Inputs   Не поддерживается  
   Differential Clock Input   Не поддерживается  
   Redundant Row Address   Не поддерживается  


В инете про Micron 16LSDT3264AG-133E1 пишут, что это DIMM 256МБ.
Так вот вопрос: получается, на втором модуле наклейка - это фейк и фактически он на 256МБ?

Мне тоже такая попадалась - студент приносил.
Разводка плат идентичная, отличается только цвет маски.
Если мне не изменяет склероз, Кингстон не использовал на своих модулях чипы Micron. Только Hynix и (реже) Winbond.