Полигон-2

В ISA-видео Realtek, CL, Tseng, Trident - используют как я понимаю биос на 32килобайта. Для этого нужно биос маркировки 28256 ?

Кто-то проходил этот этап по пунктам?

Ekb написал:

[q]

Кто-то проходил этот этап по пунктам?

[/q]

1) Купить на Aliexpress программатор TL866
2) ...
3) PROFIT!!!111

До того как собрал программатор, я долгое время пользовался своей любимой пентиумной материнкой, прошивая все что только можно, тем более там можно было выбирать напряжение программирования - 5 или 12 вольт. Пока не забыл поменять микрухи и не перезаписал родной BIOS материнки. До сих пор жалко, красивый был биос, с картинками, такого больше не нашел (нашелся только стандартный, без картинок). В принципе, если нет необходимости шить массу микрух, это самый простой метод.
Микрухи можно брать 27C256, 28C256, а лучше W27C512-45. Поскольку последняя по емкости в два раза больше, то шьется два раза - в верхние и нижние адреса, чтобы висящая в воздухе адресная ножка не влияла на выборку с нее данных. Ну или лишнюю адресную ножку закоротить на землю.

Сорри, как умиляют посты начинающих

MsDemonid написал:

[q]

Микрухи можно брать 27C256, 28C256, а лучше W27C512-45.

[/q]

Потрудитесь уточнить - Вы их "своей любимой пентиумной материнкой" прошивали или на программаторе ?
И если первый вариант, то модель материки сообщите, плизззззз...

i8088, если оставить в стороне решаемые вопросы с мелким несовпадением цоколевки, напряжений программирования и т.п.,
то вопрос с обеспечением паузы на время программирования блока в EEPROM ~ 3 мс остается открытым.

ИМХО стандартным софтом и на обычной материнке это не реализуемо!

Rio444, из широко распространенных не знаю ни одной 28хх и 49хх которые требуют +12В.
В первых 29Fхх встречалось, для них и ставили джампер на материнской.

Не путайте 28 (EEPROM) и 29/49 (FLASH) !!!
Алгоритм программирования там совершенно разный !

Rio444 написал:

[q]

EEPROM - только 27-я серия

[/q]

Путаете! 27хх - это с ультрафиолетовым стиранием.
Она електрикали программед, но не ерайзебал. На два "E" там возможностей нет!

EEPROM это 28хх.

Да, есть моменты недопонимания - не путать 28Сххх (с маркировкой аналогичной 27Сххх) и 28Fххххххххх !!!
Последние (с буквой F) они конечно FLASH. Так что про Интел 28F001 согласен, забыл, но она F а не С...

Но есть и более экзотические маркировки, например 29EE512

Rio444 написал:

[q]

Как-то обсуждали это с i8088.

[/q]

Вот, нашел наши обсуждения
http://www.phantom.sannata.ru/...a=do_print
http://www.phantom.sannata.ru/...a=do_print

И да, в обозначениях путаница, верный признак отличия E(E)PROM от FLASH - серия, 27xx это EEPROM,
UV-EPROM или OTP-EPROM; 28xx и выше - flash, как бы их не обзывал производитель.

i8088 написал:

[q]

И да, в обозначениях путаница, верный признак отличия E(E)PROM от FLASH - серия, 27xx это EEPROM,
UV-EPROM или OTP-EPROM; 28xx и выше - flash, как бы их не обзывал производитель.

[/q]

Всё именно так.
Да, ошибся, написал лишнюю "Е".
Вместо "EEPROM" следует читать "EPROM".
Т.е. как Вы указали EEPROM, UV-EPROM или OTP-EPROM - электрически стираемые (самая известная, но не единственная - W27C512), УФ-стираемые и однократки. Которые по сути те же УФ, но без окошка. Видимо так дешевле.

Независимо от способа стирания, все они прошиваются одинаково, с небольшими вариациями.
На шину данных и адреса подаются соответствующие значения для конкретной ячейки памяти, на Vpp импульс +12...+13,5 (в зависимости от конкретной модели м/с) длительностью 100мкс.
На Vcc некоторых м/с может потребоваться подать напряжение 6...6,5В (вместо +5В в режиме чтения).

Flash шьётся по-другому.
В буфер м/с с обычной скоростью пишется блок, обычно размером 256 или 512 байт (указывается в даташите), потом делается пауза, по которой встроенный контроллер Flash понимает, что блок записан и пишет данные из буфера во Flash.
Некоторые Flash требуют для стирания/прошивки +12В на Vpp. Но, в отличии от EPROM, это напряжение может быть постоянно подано на м/с. Управлять им не нужно.

Rio444 написал:

[q]

Т.е. как Вы указали EEPROM, PROM или OTP-EPROM - электрически стираемые

[/q]

ОТР не трется по определению.
UV требует электричества только для лампы UV.
Для EEPROM процесс стирания чаще прозрачен для пользователя и отдельных команд не требует.

Rio444 написал:

[q]

длительностью 100мкс.

[/q]

Частный случай и только для UV-EPROM.

Rio444 написал:

[q]

Flash шьётся по-другому... потом делается пауза

[/q]

В EEPROM аналогично.

Rio444 написал:

[q]

Но, в отличии от EPROM, это напряжение может быть постоянно подано на м/с. Управлять им не нужно.

[/q]

Никаких проблем. Результат прошивки UV-EPROM можно проверять без снятия Vpp.

Продолжить речь или даташиты выложить?

Rio444 написал:

[q]

Это как?

[/q]

Это как в ОЗУ. Байт отправил, если за ~ 3 мс ничего не прилетело, то он сам запишется куда надо.

Rio444 написал:

[q]

Вообще-то это стандарт для всех EPROM...

[/q]

Стандарта нет, есть алгоритмы записи. По советски - дал 50 мс и пошел дальше.
По Интел - даем по 1 мс и ждем когда совпадет.
И т.д. и т.п.
C EЕPROM даже близко не лежало. См. выше.

Rio444 написал:

[q]

Это не EEPROM, это Flash. Выше i8088 давал ссылку

[/q]

Давить авторитетами не надо. i8088 уважаю, но Вашу точку зрения готов оспорить.
Запись начинается или при заполнении блока, или по истечении таймаута.

Rio444 написал:

[q]

Потому что подаваемые сигналы управления отличаются.
И, ЕМНИП, не все EPROM это умеют.

[/q]

Сигналов там два - СS и ОЕ. Кто не умеет - идет лесом

Rio444 написал:

[q]

Ещё раз повторюсь: Почитайте хотя бы с десяток даташитов.

[/q]

Чего и Вам желаю.
Всё давно перечитано, и десятки тысяч устройств по всей стране это успешно подтверждают...
Там и УФ-ПЗУ были, и EEPROM, и FLASH...

Предлагаю перейти на обсуждение FRAM
И соседнюю тему приклеить.

XPOHOMETP написал:

[q]

Всё давно перечитано, и десятки тысяч устройств по всей стране это успешно подтверждают...
Там и УФ-ПЗУ были, и EEPROM, и FLASH...

[/q]

Пусть они залогинятся на форуме и подтвердят лично, а не с Ваших слов.

Извините, но Вы тут уже столько ерунды понаписали. При этом не привели ни одной ссылки, ни на один документ.
До сих пор относился к Вам с уважением, как к специалисту.
Сейчас начинает возникать предположение, что Вы тролль, нахватавшийся по верхам технических знаний.

Самая распространенная EPROM (неважно UV-, OTP, или EEPROM) 27C512 имеет 22-ю ногу /OE/Vpp.
То есть Вы никак не сможете прочитать её содержимое, не снимая Vpp.
Даташит найдёте сами.


XPOHOMETP написал:

[q]

Стандарта нет, есть алгоритмы записи. По советски - дал 50 мс и пошел дальше.
По Интел - даем по 1 мс и ждем когда совпадет.

[/q]

Стандарт есть. Все импортные EPROM вида 27С64...27С010 могут программироваться импульсом 100мкс. Есть такие, которым достаточен импульс короче. Но в таком случае во всех даташитах пишется, что это ускоренный режим прошивки. И преподносится как достоинство этой м/с.

XPOHOMETP написал:

[q]

Это как в ОЗУ. Байт отправил, если за ~ 3 мс ничего не прилетело, то он сам запишется куда надо.

[/q]

Чушь полная. Это не EEPROM, а разновидность Flash.

Если не согласны, называйте конкретные м/с, которые подтвердят Ваши слова.

Комрады , ну вы реально запутали, мне тема интересна, но может какой то faq составить, где все во мнении сойдутся.

28HC256
В даташите производитель пишет, что это EEPROM.
Фактически это Flash. Либо EPROM с интерфейсом Flash, что теоретически возможно, но для нас, с точки зрения прошивки, значения не имеет. То есть, шьём как Flash:
- прошивка не требует Vpp +12В.
- алгоритм записи как у Flash.

[q]

The page write operation of the AT28HC256 allows 1 to 64 bytes of data to be written into the
device during a single internal programming period. A page write operation is initiated in the
same manner as a byte write; the first byte written can then be followed by 1 to 63 additional
bytes. Each successive byte must be written within 150 µs (tBLC) of the previous byte. If the
tBLC limit is exceeded the AT28C256 will cease accepting data and commence the internal
programming operation.

[/q]

Т.е. пишем в буфер 64 байта. Делаем паузу. Данные записываются во Flash.

XPOHOMETP написал:

[q]

Она самая толстая. Потому имеет особенности (нехватки ножек для сигналов).

[/q]

Ага. И самая распространенная и востребованная. Даташиты других ёмкостей покурите сами.

XPOHOMETP написал:

[q]

Rio444 написал:

[q]

во всех даташитах пишется, что это ускоренный режим прошивки.

[/q]

Исключительно для экономии ресурса циклов стирания/перезаписи.
Но если нужно, то то первый попавшийся под руку pdf: ST M2764A, страница 4:
High Speed Programming

[/q]

И? О чем я и говорил, ускоренный режим прошивки, как фича конкретной м/с.

XPOHOMETP написал:

[q]

X28HC256, страница 3
A byte write operation,
once initiated, will automatically continue to completion,
typically within 3ms.

[/q]

Что-то не нашел там такого на 3-й странице.
Зато есть

[q]

Byte Write
A low pulse on the WE or CE input with CE or WE low (respectively) and OE high initiates a
write cycle. The address is latched on the falling edge of CE or WE, whichever occurs last.
The data is latched by the first rising edge of CE or WE. Once a byte write has been started it
will automatically time itself to completion. Once a programming operation has been initiated
and for the duration of tWC, a read operation will effectively be a polling operation.

[/q]

Т.е. запись одного байта, как частный случай записи страницы.
В страничном режиме записи можно писать последовательно от 1 до 64 байт одновременно.
И как это соотносится с записью EPROM???

Ещё раз. Для записи EPROM нужно задать адрес и данные и подать высокое напряжение (+12...13,5В) на Vpp для "прожига".
Длительность импульса прожига стандартно 100мкс. Существуют м/с с ускоренным прожигом. У них длительность может быть 50 и меньше мкс.

Вы разницу улавливаете? Или будет делать вид, что это одно и то же?

Кстати, с M27C64A вообще курьёз.
Микросхема видимо очень старая, поэтому "быстрым" назван режим прожига испульсом 1мс (т.е. не даже 100, а 1000мкс).
А вся м/с "быстро" шьётся менее, чем за 1 минуту.
Посмотрите, например NM27C512
Длительность импульса прожига допускается от 20 до 105мкс (если быть совсем точным, длительность /CE, само напряжение Vpp может устанавливаться раньше, сниматься позже).
При этом режим "20мкс" назван быстрым.
Но в этом режиме может быть предпринято до 25 попыток записи. Т.е. он менее надежен, чем стандартные 100мкс.
И стандартные 100мкс поддерживает любая EPROM, кроме совсем старых, как вышеупомянутая M27C64A.

Rio444, как Вы правильно отметили, основная функция м/с в первых строчке pdf отражена.
Мне по барабану, надо ли менять там Vpp.
Микропроцессору это расскажите - он пошлет Вас вместе с тестером всеми 40-а ножками DIP...

Почти фиолетово сколько байт пересылать 1 или 64 - все равно ждать 3 мс.
Вот когда Вы все нюансы прикладному программисту объясните, то там и почуствуете где FLASH, а где EEPPOM.
Несмотря на цифры на корпусе...

[q]

Что-то не нашел там такого на 3-й странице.

[/q]

Левая колонка, примерно на середине:

ээээ, тут файлы не цепляются ?

UPD: Вот кусочек

XPOHOMETP написал:

[q]

Вот когда Вы все нюансы прикладному программисту объясните, то там и почуствуете где FLASH, а где EEPPOM.
Несмотря на цифры на корпусе...

[/q]

Мы все эти страницы разбирали запись (в этом и был вопрос TS), а теперь Вы неожиданно
перешли к чтению, которое по определению у них одинвковое, с этим никто и не спорил.

XPOHOMETP написал:

[q]

8088, Где я перешел на чтение? 3 мс это именно про запись.

[/q]

Мне показалось, вот здесь

XPOHOMETP написал:

[q]

Микропроцессору это расскажите - он пошлет Вас вместе с тестером всеми 40-а ножками DIP...

[/q]

Rio444, прошивал именно на демонстрационной плате микроконтроллера, вставив EEPROM в место внешнего ОЗУ...

Rio444 28xxx можно рассматривать как "странный' вариант RAM типа 61xxx, которая хранит данные и при отключении питания. Из за легкости побайтовой записи есть немалый риск случайно затереть информацию, например CheckIT! затирает содержимое 28xxx "открытой" в адресном пространстве, если подключена нога ^WE.

29xxx и прочие для прошивки требуют специальные команды и затереть их случайно очень нелегко. Команды как правило стандартизованы в документе CFI (Common Flash Interface) комитета JEDEC, но некоторые производители выпендриваются и добавляют свои.

Rio444, если что - заранее извиняюсь
Не в качестве спора, а для полноты общей картины.

По типам и обозначениям.
Возможно внутренняя структура, логика работы и т.п. конкретных м/c не всегда соответствует их названию,
но для поиска по каталогам и прайсам все же логичнее использовать тип (EEPROM, FLASH), указанный производителем в первых строчках pdf.
Далее буду этой терминологии придерживаться.

По UV-EPROM.
Говорить о распространенности м/c без привязки к годам выпуска имхо некорректно.
Для BIOS XT вполне достаточно объема в 8 кБ, знакогенератор CGA даже в 2 кБ помещается.

Соответственно и напряжения программирования там могут быть до 25В (часто указано на корпусе).
Как примеры из того что под рукой и недавно программировалось:
Intel 2732 Vpp = 25V
Intel 2732A Vpp = 21,5V
Fujitsu MBM27C64-20 Upr = 21 В
К573РФ6А Upr = 19 В
К573РФ4 Upr = 21,5 В
КС573РФ4А Upr = 12,5 В (по факту кристаллл там от SGS Tomson M2764A)

Программирование с поднятием питания с +5 до 6...6,5 В, даже если того требует даташит,
по факту часто может выполняться и без оного. Неоднократно проверялось на тех же РФ и 2764 различных фирм.
Единственно, может увеличиться требуемое количество импульсов программирования,
но суммарная их длительность остается в допустимых пределах.
Позволяет немного упростить схему программатора и управляющую им программу.

По EEPROM.
Как можно было увидеть в описании упоминавшейся X28НC256 команда стирания там остутствует вообще.
И это не единичный случай, еще пример CATALYST CAT28C64B
Это бывает важно для задач, работающих в реальном времени - нет лишних затрат и ожиданий.

По размеру блока/страницы - для EEPROM характерно 32 / 64 / 128 байт в зависимости от объема м/c.
Ну и про кол-во циклов перезаписи: 10К для совсем старых, обычно 100К, у более свежих до 1 миллиона.

По FLASH.
Всегда присутствует команда стирания отдельных блоков или всей микросхемы в целом.
Найти микросхему с малым размером этого блока (т.е. как у EEPROM) весьма проблематично.
У той же Intel P28F001 блоки по 4К / 8К /112К, но она, справедливости ради, конкретно под BIOS материнской заточена.
А например более универсальные SST39SF010A при объеме 128 кбайт имеют все сектора по 4К.

Кол-во циклов перезаписи часто тоже заметно меньше чем у EEPROM.
Начинается от 1К (а бывает и меньше - от десятков раз всего), типично 10К / 100К

Собственно по этим двум параметрам и можно наблюдать практическую разницу/область применения EEPROM и FLASH.
На 100% однозначности не претендую, исключения из любых правил есть...

Чуть ближе к теме

Rio444, статистику не наводил, но вопросов по XT и 286 имхо ничуть не меньше, чем по 386.
А на 286 BIOS нередко в виде двух микросхем попадался (младший и старший байты). Это 2 х 27256 будет.
Вроде и на первых 386DX без кеш такое видел, но за давностью лет утверждать не берусь.

ISA-видео, те же упомянутые ТС-ом Realtek 3105, Trident 9000 - 27256. На Trident 8900 и 2 х 27128 бывало.
EGA видеокарты - тоже 27128. BOOTROM на сетевых - часто 2764..27128 (тут были и меньше, и больше). И т.д. и т.п.

Так вот все эти м/c имеют Vpp на отдельной ножке, что может значительно упростить схему программатора:
это Vpp хоть тумблером коммутировать можно, хоть ручку выходного напряжения на регулируемом БП крутить.
Т.е. из всех УФ м/c что в панельку DIP-28 поставить можно, а это 2716..27512, только последняя сложна по части Vpp.
Для остальных им можно вообще не рулить от компа и остается вопрос только во времянках.

[q]

Про то, что EPROM можно шить, подавая Vcc всего 4,5В, вместо 6,5В и Vpp 11,5В, вместо 12,5..13В, я знаю.
Но потом возникают отзывы на форумах: "такие-то м/с прошились все, такие-то только половина, а такие-то этим программатором вообще не шьются".

[/q]

Vcc 4,5В и Vpp 11,5В это если от компового БП питать. На ключах и диодных развязках около 0,5В и сядет.
На саму возможность программирования Vcc особо не влияет и упрощать тут смысла нет.
От него больше зависит момент определения перходов 1 >-> 0 (уровень заряда в ячейке).
А вот от Vpp прожиг зависит куда сильнее, и снижать его я не предлагал.
Скорее наоборот - если не шьется, то можно попробовать увеличить в пределах 0,5В от даташита (там 12,5...12,8 в основном).
Ну самый максимум +1В, иначе труп.

Да и для легкого прожига не стоит сильно превышать время стирания, т.к. тоже возможны необратимые изменения.
Лучше в процессе проконтролировать несколько раз - уже стерлось или еще посветить УФ-ом.

[q]

Хотя, некоторые особо ушлые пишут в даташитах "Flash" - SST27SF512

[/q]

Ну если судить по приведенным выше (практическим) критериям - вполне себе Flash.
Отдельная операция стирания присутствует. Количество циклов программирования всего 1000.
Да и стирается только целиком - отдельно с мелкими блоками не поработаешь.

Не буду настаивать на однозначной правильности, но в разговорах под EEPROM обычно понимают место хранения различных (текущих) настроек.
Для чего и требуется большой ресурс по записи и возможность изменять содержимое небольшими блоками.
Из комповой тематики - адрес, прерывания и прочие настройки сетевой карты и т.п. На планках памяти SPD стоит (хотя тоже однократный бывает).
Яркость, контастность и т.д. монитора с кнопочным управлением, в той же LCD матрице параметры в EEPROM...
Да, тут они с последовательным интерфейсом, но суть думаю понятна.

Маленький BIOS ISA-видео в EEPROM конечно тоже поселить можно,
А вот у 28256 /WE находится на месте A14 от 27256. Конфликтик

XPOHOMETP написал:

[q]

Ну если судить по приведенным выше (практическим) критериям - вполне себе Flash.

[/q]

Не вижу ничего общего с flash, просто EEPROM с более быстрым программированием.

[q]

These devices are functionally (read and program) and pin compatible with industry standard
EPROM products.

[/q]

Истинная EEPROM прекрасно программируется в старых программаторах
для обычных UV/OTP-EPROM, только стереть нельзя. С flash это невозможно.