Полигон-2

[q]

Всё давно перечитано, и десятки тысяч устройств по всей стране это успешно подтверждают...
Там и УФ-ПЗУ были, и EEPROM, и FLASH...

[/q]

[q]

Стандарта нет, есть алгоритмы записи. По советски - дал 50 мс и пошел дальше.
По Интел - даем по 1 мс и ждем когда совпадет.

[/q]

[q]

Это как в ОЗУ. Байт отправил, если за ~ 3 мс ничего не прилетело, то он сам запишется куда надо.

[/q]

[q]

The page write operation of the AT28HC256 allows 1 to 64 bytes of data to be written into the
device during a single internal programming period. A page write operation is initiated in the
same manner as a byte write; the first byte written can then be followed by 1 to 63 additional
bytes. Each successive byte must be written within 150 µs (tBLC) of the previous byte. If the
tBLC limit is exceeded the AT28C256 will cease accepting data and commence the internal
programming operation.

[/q]

[q]

Она самая толстая. Потому имеет особенности (нехватки ножек для сигналов).

[/q]

[q]

Rio444 написал:

[q]

во всех даташитах пишется, что это ускоренный режим прошивки.

[/q]

Исключительно для экономии ресурса циклов стирания/перезаписи.
Но если нужно, то то первый попавшийся под руку pdf: ST M2764A, страница 4:
High Speed Programming

[/q]

[q]

X28HC256, страница 3
A byte write operation,
once initiated, will automatically continue to completion,
typically within 3ms.

[/q]

[q]

Byte Write
A low pulse on the WE or CE input with CE or WE low (respectively) and OE high initiates a
write cycle. The address is latched on the falling edge of CE or WE, whichever occurs last.
The data is latched by the first rising edge of CE or WE. Once a byte write has been started it
will automatically time itself to completion. Once a programming operation has been initiated
and for the duration of tWC, a read operation will effectively be a polling operation.

[/q]