Полигон-2

XPOHOMETP написал:

[q]

Вот когда Вы все нюансы прикладному программисту объясните, то там и почуствуете где FLASH, а где EEPPOM.
Несмотря на цифры на корпусе...

[/q]

Мы все эти страницы разбирали запись (в этом и был вопрос TS), а теперь Вы неожиданно
перешли к чтению, которое по определению у них одинвковое, с этим никто и не спорил.

XPOHOMETP написал:

[q]

8088, Где я перешел на чтение? 3 мс это именно про запись.

[/q]

Мне показалось, вот здесь

XPOHOMETP написал:

[q]

Микропроцессору это расскажите - он пошлет Вас вместе с тестером всеми 40-а ножками DIP...

[/q]

Rio444, прошивал именно на демонстрационной плате микроконтроллера, вставив EEPROM в место внешнего ОЗУ...

Rio444 28xxx можно рассматривать как "странный' вариант RAM типа 61xxx, которая хранит данные и при отключении питания. Из за легкости побайтовой записи есть немалый риск случайно затереть информацию, например CheckIT! затирает содержимое 28xxx "открытой" в адресном пространстве, если подключена нога ^WE.

29xxx и прочие для прошивки требуют специальные команды и затереть их случайно очень нелегко. Команды как правило стандартизованы в документе CFI (Common Flash Interface) комитета JEDEC, но некоторые производители выпендриваются и добавляют свои.

Rio444, если что - заранее извиняюсь
Не в качестве спора, а для полноты общей картины.

По типам и обозначениям.
Возможно внутренняя структура, логика работы и т.п. конкретных м/c не всегда соответствует их названию,
но для поиска по каталогам и прайсам все же логичнее использовать тип (EEPROM, FLASH), указанный производителем в первых строчках pdf.
Далее буду этой терминологии придерживаться.

По UV-EPROM.
Говорить о распространенности м/c без привязки к годам выпуска имхо некорректно.
Для BIOS XT вполне достаточно объема в 8 кБ, знакогенератор CGA даже в 2 кБ помещается.

Соответственно и напряжения программирования там могут быть до 25В (часто указано на корпусе).
Как примеры из того что под рукой и недавно программировалось:
Intel 2732 Vpp = 25V
Intel 2732A Vpp = 21,5V
Fujitsu MBM27C64-20 Upr = 21 В
К573РФ6А Upr = 19 В
К573РФ4 Upr = 21,5 В
КС573РФ4А Upr = 12,5 В (по факту кристаллл там от SGS Tomson M2764A)

Программирование с поднятием питания с +5 до 6...6,5 В, даже если того требует даташит,
по факту часто может выполняться и без оного. Неоднократно проверялось на тех же РФ и 2764 различных фирм.
Единственно, может увеличиться требуемое количество импульсов программирования,
но суммарная их длительность остается в допустимых пределах.
Позволяет немного упростить схему программатора и управляющую им программу.

По EEPROM.
Как можно было увидеть в описании упоминавшейся X28НC256 команда стирания там остутствует вообще.
И это не единичный случай, еще пример CATALYST CAT28C64B
Это бывает важно для задач, работающих в реальном времени - нет лишних затрат и ожиданий.

По размеру блока/страницы - для EEPROM характерно 32 / 64 / 128 байт в зависимости от объема м/c.
Ну и про кол-во циклов перезаписи: 10К для совсем старых, обычно 100К, у более свежих до 1 миллиона.

По FLASH.
Всегда присутствует команда стирания отдельных блоков или всей микросхемы в целом.
Найти микросхему с малым размером этого блока (т.е. как у EEPROM) весьма проблематично.
У той же Intel P28F001 блоки по 4К / 8К /112К, но она, справедливости ради, конкретно под BIOS материнской заточена.
А например более универсальные SST39SF010A при объеме 128 кбайт имеют все сектора по 4К.

Кол-во циклов перезаписи часто тоже заметно меньше чем у EEPROM.
Начинается от 1К (а бывает и меньше - от десятков раз всего), типично 10К / 100К

Собственно по этим двум параметрам и можно наблюдать практическую разницу/область применения EEPROM и FLASH.
На 100% однозначности не претендую, исключения из любых правил есть...