Полигон-2

Rio444 написал:

[q]

EEPROM - только 27-я серия

[/q]

Путаете! 27хх - это с ультрафиолетовым стиранием.
Она електрикали программед, но не ерайзебал. На два "E" там возможностей нет!

EEPROM это 28хх.

Да, есть моменты недопонимания - не путать 28Сххх (с маркировкой аналогичной 27Сххх) и 28Fххххххххх !!!
Последние (с буквой F) они конечно FLASH. Так что про Интел 28F001 согласен, забыл, но она F а не С...

Но есть и более экзотические маркировки, например 29EE512

Rio444 написал:

[q]

Как-то обсуждали это с i8088.

[/q]

Вот, нашел наши обсуждения
http://www.phantom.sannata.ru/...a=do_print
http://www.phantom.sannata.ru/...a=do_print

И да, в обозначениях путаница, верный признак отличия E(E)PROM от FLASH - серия, 27xx это EEPROM,
UV-EPROM или OTP-EPROM; 28xx и выше - flash, как бы их не обзывал производитель.

i8088 написал:

[q]

И да, в обозначениях путаница, верный признак отличия E(E)PROM от FLASH - серия, 27xx это EEPROM,
UV-EPROM или OTP-EPROM; 28xx и выше - flash, как бы их не обзывал производитель.

[/q]

Всё именно так.
Да, ошибся, написал лишнюю "Е".
Вместо "EEPROM" следует читать "EPROM".
Т.е. как Вы указали EEPROM, UV-EPROM или OTP-EPROM - электрически стираемые (самая известная, но не единственная - W27C512), УФ-стираемые и однократки. Которые по сути те же УФ, но без окошка. Видимо так дешевле.

Независимо от способа стирания, все они прошиваются одинаково, с небольшими вариациями.
На шину данных и адреса подаются соответствующие значения для конкретной ячейки памяти, на Vpp импульс +12...+13,5 (в зависимости от конкретной модели м/с) длительностью 100мкс.
На Vcc некоторых м/с может потребоваться подать напряжение 6...6,5В (вместо +5В в режиме чтения).

Flash шьётся по-другому.
В буфер м/с с обычной скоростью пишется блок, обычно размером 256 или 512 байт (указывается в даташите), потом делается пауза, по которой встроенный контроллер Flash понимает, что блок записан и пишет данные из буфера во Flash.
Некоторые Flash требуют для стирания/прошивки +12В на Vpp. Но, в отличии от EPROM, это напряжение может быть постоянно подано на м/с. Управлять им не нужно.

Rio444 написал:

[q]

Т.е. как Вы указали EEPROM, PROM или OTP-EPROM - электрически стираемые

[/q]

ОТР не трется по определению.
UV требует электричества только для лампы UV.
Для EEPROM процесс стирания чаще прозрачен для пользователя и отдельных команд не требует.

Rio444 написал:

[q]

длительностью 100мкс.

[/q]

Частный случай и только для UV-EPROM.

Rio444 написал:

[q]

Flash шьётся по-другому... потом делается пауза

[/q]

В EEPROM аналогично.

Rio444 написал:

[q]

Но, в отличии от EPROM, это напряжение может быть постоянно подано на м/с. Управлять им не нужно.

[/q]

Никаких проблем. Результат прошивки UV-EPROM можно проверять без снятия Vpp.

Продолжить речь или даташиты выложить?

Rio444 написал:

[q]

Это как?

[/q]

Это как в ОЗУ. Байт отправил, если за ~ 3 мс ничего не прилетело, то он сам запишется куда надо.

Rio444 написал:

[q]

Вообще-то это стандарт для всех EPROM...

[/q]

Стандарта нет, есть алгоритмы записи. По советски - дал 50 мс и пошел дальше.
По Интел - даем по 1 мс и ждем когда совпадет.
И т.д. и т.п.
C EЕPROM даже близко не лежало. См. выше.

Rio444 написал:

[q]

Это не EEPROM, это Flash. Выше i8088 давал ссылку

[/q]

Давить авторитетами не надо. i8088 уважаю, но Вашу точку зрения готов оспорить.
Запись начинается или при заполнении блока, или по истечении таймаута.

Rio444 написал:

[q]

Потому что подаваемые сигналы управления отличаются.
И, ЕМНИП, не все EPROM это умеют.

[/q]

Сигналов там два - СS и ОЕ. Кто не умеет - идет лесом

Rio444 написал:

[q]

Ещё раз повторюсь: Почитайте хотя бы с десяток даташитов.

[/q]

Чего и Вам желаю.
Всё давно перечитано, и десятки тысяч устройств по всей стране это успешно подтверждают...
Там и УФ-ПЗУ были, и EEPROM, и FLASH...

Предлагаю перейти на обсуждение FRAM
И соседнюю тему приклеить.