Полигон-2

Rio444, если что - заранее извиняюсь
Не в качестве спора, а для полноты общей картины.

По типам и обозначениям.
Возможно внутренняя структура, логика работы и т.п. конкретных м/c не всегда соответствует их названию,
но для поиска по каталогам и прайсам все же логичнее использовать тип (EEPROM, FLASH), указанный производителем в первых строчках pdf.
Далее буду этой терминологии придерживаться.

По UV-EPROM.
Говорить о распространенности м/c без привязки к годам выпуска имхо некорректно.
Для BIOS XT вполне достаточно объема в 8 кБ, знакогенератор CGA даже в 2 кБ помещается.

Соответственно и напряжения программирования там могут быть до 25В (часто указано на корпусе).
Как примеры из того что под рукой и недавно программировалось:
Intel 2732 Vpp = 25V
Intel 2732A Vpp = 21,5V
Fujitsu MBM27C64-20 Upr = 21 В
К573РФ6А Upr = 19 В
К573РФ4 Upr = 21,5 В
КС573РФ4А Upr = 12,5 В (по факту кристаллл там от SGS Tomson M2764A)

Программирование с поднятием питания с +5 до 6...6,5 В, даже если того требует даташит,
по факту часто может выполняться и без оного. Неоднократно проверялось на тех же РФ и 2764 различных фирм.
Единственно, может увеличиться требуемое количество импульсов программирования,
но суммарная их длительность остается в допустимых пределах.
Позволяет немного упростить схему программатора и управляющую им программу.

По EEPROM.
Как можно было увидеть в описании упоминавшейся X28НC256 команда стирания там остутствует вообще.
И это не единичный случай, еще пример CATALYST CAT28C64B
Это бывает важно для задач, работающих в реальном времени - нет лишних затрат и ожиданий.

По размеру блока/страницы - для EEPROM характерно 32 / 64 / 128 байт в зависимости от объема м/c.
Ну и про кол-во циклов перезаписи: 10К для совсем старых, обычно 100К, у более свежих до 1 миллиона.

По FLASH.
Всегда присутствует команда стирания отдельных блоков или всей микросхемы в целом.
Найти микросхему с малым размером этого блока (т.е. как у EEPROM) весьма проблематично.
У той же Intel P28F001 блоки по 4К / 8К /112К, но она, справедливости ради, конкретно под BIOS материнской заточена.
А например более универсальные SST39SF010A при объеме 128 кбайт имеют все сектора по 4К.

Кол-во циклов перезаписи часто тоже заметно меньше чем у EEPROM.
Начинается от 1К (а бывает и меньше - от десятков раз всего), типично 10К / 100К

Собственно по этим двум параметрам и можно наблюдать практическую разницу/область применения EEPROM и FLASH.
На 100% однозначности не претендую, исключения из любых правил есть...

Чуть ближе к теме

Rio444, статистику не наводил, но вопросов по XT и 286 имхо ничуть не меньше, чем по 386.
А на 286 BIOS нередко в виде двух микросхем попадался (младший и старший байты). Это 2 х 27256 будет.
Вроде и на первых 386DX без кеш такое видел, но за давностью лет утверждать не берусь.

ISA-видео, те же упомянутые ТС-ом Realtek 3105, Trident 9000 - 27256. На Trident 8900 и 2 х 27128 бывало.
EGA видеокарты - тоже 27128. BOOTROM на сетевых - часто 2764..27128 (тут были и меньше, и больше). И т.д. и т.п.

Так вот все эти м/c имеют Vpp на отдельной ножке, что может значительно упростить схему программатора:
это Vpp хоть тумблером коммутировать можно, хоть ручку выходного напряжения на регулируемом БП крутить.
Т.е. из всех УФ м/c что в панельку DIP-28 поставить можно, а это 2716..27512, только последняя сложна по части Vpp.
Для остальных им можно вообще не рулить от компа и остается вопрос только во времянках.

[q]

Про то, что EPROM можно шить, подавая Vcc всего 4,5В, вместо 6,5В и Vpp 11,5В, вместо 12,5..13В, я знаю.
Но потом возникают отзывы на форумах: "такие-то м/с прошились все, такие-то только половина, а такие-то этим программатором вообще не шьются".

[/q]

Vcc 4,5В и Vpp 11,5В это если от компового БП питать. На ключах и диодных развязках около 0,5В и сядет.
На саму возможность программирования Vcc особо не влияет и упрощать тут смысла нет.
От него больше зависит момент определения перходов 1 >-> 0 (уровень заряда в ячейке).
А вот от Vpp прожиг зависит куда сильнее, и снижать его я не предлагал.
Скорее наоборот - если не шьется, то можно попробовать увеличить в пределах 0,5В от даташита (там 12,5...12,8 в основном).
Ну самый максимум +1В, иначе труп.

Да и для легкого прожига не стоит сильно превышать время стирания, т.к. тоже возможны необратимые изменения.
Лучше в процессе проконтролировать несколько раз - уже стерлось или еще посветить УФ-ом.

[q]

Хотя, некоторые особо ушлые пишут в даташитах "Flash" - SST27SF512

[/q]

Ну если судить по приведенным выше (практическим) критериям - вполне себе Flash.
Отдельная операция стирания присутствует. Количество циклов программирования всего 1000.
Да и стирается только целиком - отдельно с мелкими блоками не поработаешь.

Не буду настаивать на однозначной правильности, но в разговорах под EEPROM обычно понимают место хранения различных (текущих) настроек.
Для чего и требуется большой ресурс по записи и возможность изменять содержимое небольшими блоками.
Из комповой тематики - адрес, прерывания и прочие настройки сетевой карты и т.п. На планках памяти SPD стоит (хотя тоже однократный бывает).
Яркость, контастность и т.д. монитора с кнопочным управлением, в той же LCD матрице параметры в EEPROM...
Да, тут они с последовательным интерфейсом, но суть думаю понятна.

Маленький BIOS ISA-видео в EEPROM конечно тоже поселить можно,
А вот у 28256 /WE находится на месте A14 от 27256. Конфликтик

XPOHOMETP написал:

[q]

Ну если судить по приведенным выше (практическим) критериям - вполне себе Flash.

[/q]

Не вижу ничего общего с flash, просто EEPROM с более быстрым программированием.

[q]

These devices are functionally (read and program) and pin compatible with industry standard
EPROM products.

[/q]

Истинная EEPROM прекрасно программируется в старых программаторах
для обычных UV/OTP-EPROM, только стереть нельзя. С flash это невозможно.