Полигон-2

Teodor написал:

[q]

А кто написал:

[/q]

вроде по русски писал..

dec188 написал:

[q]

самый простой и в 99% случаев верный способ - по быстродействию: FPM - 70nS, EDO - 60nS и меньше

[/q]

перевожу, если таки непонятно: в большинстве случаев, с высокой вероятностью достоверности разделить память можно на основании простого эмпирического правила: FPM - это пмять 70nS, EDO - это память 60nS и меньше

FPM где-то до 94-95 года выпуска. Позолоченные контакты - скорее всего ФПМ. Но не обязательно.
8-ки ЕДО сколько хошь золоченых (2 или 4 больших ИС на модуле).
Двусторонние - в основном ЕДО.
Когда много налеплено вертикальных ИС и плоских - как на диммах, скорее всего - это 32-64 мега ЕДО.
Если вертикально стоящие ИС высокие, и их немного - есть шансы, что 16 мегов ФПМ.
Если в середине модуля имеется одна-две маленьких ИС, или они сверху стоят на высоком модуле - это корпуса четности, скорее всего - ФПМ. Насчет быстродействия - тоже правильно...

спасибо!
извините, снимал не с похмелья, но в режиме МАКРО и с рук.
могу повторить в другом режиме

dec188, я ж вроде тоже по-русски пишу - неправда это. Не 99%, а 20-30%, не более.

Цитаты:
FPM was the traditional RAM for PCs, before the EDO was introduced. It is mounted in SIMM modules of 2, 4, 8, 16, or 32 MB. Typically, it is found in 60 ns or 70 ns versions. 60 ns is the fastest and the one to use. You cannot mix different speeds on the same Pentium motherboard.

FPM DRAM представляет собой самый простой тип оперативной памяти. В
настоящее время имеется два варианта микросхем FPM DRAM: с временем доступа
70 нс и 60 нс. Для процессора Pentium c тактовой частотой от 100 до 200
МГц (быстродействие шины составляет 66 МГц) время доступа к микросхеме
памяти должно составлять не менее 60 нс. Самая быстрая микросхема FPM DRAM
описывается формулой "5-3-3-3" (при обращении к памяти на считывание
первого слова необходимо 5 тактов, а следующих трех по 3).

EDO - устаревший стандарт памяти, цикл чтения для EDO (5-2-2-2) как минимум составляет 11 тактов. EDO RAM для ноутбуков бывает 70, 60 и 50 нс, а также отличается по типу питаниЯ (3,3v и 5v).

Микросхемы EDO RAM выпускаются в трех модификациях: со временем доступа
70 нс, 60 нс и 50 нс. Если скорость шины составляет 66 МГц, то следует
использовать память с временем доступа 60 нс.


И после всего вышесказанного я спрашиваю: о каком делении FPM/EDO по времени доступа может быть речь?