Полигон-2

Смотрю тут даташиты на всякие древние DRAM'ы, и возникла пара вопросов.

На названии диаграммы страничной записи приписка, в скобках (EARLY WRITE).
Это просто второе название, или нечто большее?

Что за режимы HIDDEN REFRESH?
По диаграммам, вроде обычные READ и WRITE, только в конце добавляется ещё один #RAS. А без него разве регенерироваться не будет?

Dmitry Dubrovenko написал:

[q]

в скобках (EARLY WRITE).

[/q]

Точных даташитов не помню, но старым чипам памяти требовался прогрев перед записью. И сигнал "начало записи блока ячеек" посылался в чип немного ранее, чем начиналась сама запись. Это позволяло инициировать следующий блок ячеек, не дожидаясь окончания записи в текущий блок. Примерно так. Нечто похожее наблюдаем в плазменных экранах, где плазму намеренно поддерживают в пред-насыщенном состоянии, чтобы быстрее зажигать и гасить пиксель.
Цель извращений - ускорить работу памяти в-целом.

Рефреш памяти тоже занимает несколько шинных циклов, тратить которые впустую - негоже. Наверняка HIDDEN REFRESH означает рефреш(??замену рефреша на запись в ячейки??) неиспользуемых в данный момент ячеек одновременно с записью-чтением ячеек используемых. Т.е. банально скрываем время рефреша за временем чтения-записи, а поскольку последнее всегда больше, ставим дополнительные циклы рефреша, не допуская асинхронности RAM в-целом. Хотя - дополнительные циклы могут нести и иную нагрузку, о коей я благополучно забыл.


PS написал:

[q]

как отличить SDRAM 3.3V от SDRAM 5V

[/q]

SDRAM - это модули DIMM?
Тогда у них разные ключи-прорези. Всего 3 положения у каждой: слева, в центре, справа.
Смотрим на разъём на модуле(или на матери, там - выступ), с длинного конца к короткому:
средняя прорезь отвечает за вольтаж, слева - 5; в центре -3,3; справа - резерв.
крайняя прорезь отвечает за тип памяти, слева - небуферизованная; в центре -ЕСС; справа - ещё что-то, не помню.

Соответственно, память на 3,3 в матку на 5 можно только кувалдой вбить, иначе - банально не встанет в разъём. И проверь, не подпилил-ли её какой-нть "младой кулибин", ещё прежде тебя...

ЗЫ: ежли перепутал лево и право - что-ж бывает, но суть остаётся неизменной. А SIMM-ы, по-моему, все были 5-вольтовые.

Teodor написал:

[q]

PS, вот ключи наглядно:

[/q]

Наглядно и познавательно. Спасибо

Э-э! Народ!
Давайте с SDRAM'ами выделяйте в отдельную тему.


Fe-Restorator написал:

[q]

И сигнал "начало записи блока ячеек"

[/q]

А это что ещё за сигнал такой?
Если имеется ввиду страничная запись, то там просто порядок сигналов другой.
А если слоговая, так во-первых, не все чипы её поддерживали, а во вторых, насколько помню, там опять-таки просто особая последовательность сигналов.
Кстати, в другом даташите приписка в скобках EARLY WRITE, присутствует уже на диаграммах обычной записи.


Fe-Restorator написал:

[q]

Наверняка HIDDEN REFRESH означает рефреш

[/q]

Причём "скрытый"
Вопрос в том, что насколько помню, регенерация происходит во всех ячейках строки, при активизации сигнала #RAS. Т.е. автоматически, как при записи, так и чтении, и никакой второй импульс #RAS не нужен.

uav1606 написал:

[q]

Вот по поводу Hidden Refresh

[/q]

Насколько понял, это относится к организации работы контроллера доступа памяти, а не самих чипов.